Thermo Scientific Nicolet 硅分析系統性能極佳，擁有成本低，可靠性高。
Nicolet 分析系統可以快速測量間隙碳和間隙氧以及外延薄膜厚度，適用于半導體晶片生產和太陽硅應用。 經光伏硅轉換太陽能的需求持續顯著增長，Nicolet 硅分析系統可提供快速、可靠的多功能分析。

Nicolet 硅分析系統的處理選項包括：1）自動分析 300 mm（最大）的晶片；2）低成本手動測量單個點。 本系統可提供行業趨勢變化所需的靈活性，可用于方形晶片和金屬片的分析。
具有硅分析選項，可以滿足各種預算需求。 所有解決方案均包括軟件工具，其中包括：

碳、氧和外延薄膜（300nm 至 7500nm）分析
定量算法廣泛，擴展了功能，其中包括：線性回歸法、經典最小二乘法 (CLS) 和偏最小二乘法 (PLS)
支持 ASTM 和 JEIDA 標準，可以測量替代碳和間隙氧
此高級自動分析系統以 Nicolet x700 光譜儀為基礎，可滿足要求苛刻的操作環境。 此應用軟件具有完全自動化的掃描成像平臺，所含軟件可以實現：

靈活的測量選擇：從單點繪制到整個晶片繪制
處理 300mm （最大）的晶片
透射與反射能力測量：可以接受的材料和薄膜非常廣泛
簡便的用戶操作
此手動分析系統基于 Nicolet x700 或 Nicolet iS10 FT-IR 光譜儀，適用于要求不太苛刻的 QA/QC 應用。 此系統在樣品室中使用手動旋轉平臺，包括：

單點分析手動定位樣品
在樣品室中處理晶片
具有透射測量能力，可以接受眾多材料和薄膜

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